儋州大功率85-220伏30A遥控开关企业
射频遥控器的抗干扰设计与加密技术
2.4GHz射频遥控器面临同频干扰问题，跳频扩频(FHSS)技术可将干扰影响降低80%。AES-128加密算法确保控制信号安全，防止恶意重放攻击。某工业遥控器采用双天线分集接收，信号丢包率控制在0.1%以下。新型LoRa遥控器传输距离达3公里，特别适合塔吊、农业机械等远控场景。值得注意的是，医疗设备专用遥控器必须通过EMC Class B认证，确保不会干扰其他电子设备正常运行。
71 蓄电池 GB XDC
72 压力变送器 BP YB
73 温度变送器 BT WDB
74 电钟 PT
75 电流表 PA
76 电压表 PV77 电度表 PJ
78 有功功率表 PPA
79 无功功率表 PPR
80 同期表 S
81 频率表 PF
vGS>0 的情况若vGS＞0，则栅和衬底之间的SiO2缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。
排斥空穴:使栅附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子:将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。
（2）导电沟道的形成
当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
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Device.lib 包括电阻、电容、二管、
三管和PCB的连接器符号
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DIODE.LIB 包括二管和整流桥
DISPLAY.LIB 包括 LCD、LED
BIPOLAR.LIB 包括三管
FET.LIB 包括场效应管ASIMMDLS.LIB 包括模拟元器件
MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。