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电子开关的工作原理与技术分类
电子开关是通过半导体器件实现电路通断控制的装置，主要分为机械式电子开关和固态电子开关两大类。机械式电子开关如继电器通过电磁线圈驱动机械触点，而固态电子开关则采用MOSFET、IGBT等功率半导体器件实现无触点开关。光电耦合器在高低压隔离控制中发挥重要作用，确保控制信号与主电路的安全隔离。现代电子开关的切换速度可达微秒级，远快于传统机械开关，特别适用于高频PWM调光、电机调速等场景。
脉冲波形见图5,参数见表2。脉冲1的猝发周期/脉冲重复时间t1,应选择为DUT在施加下一个脉冲前能正常初始化的短时间,且应大于或等于0.5s。
5.6.3 试验脉冲2a和2b
脉冲2a模拟由于线束电感原因,使与DUT并联装置内的电流突然中断引起的瞬态
脉冲2b模拟点火开关断开后直流电机作为发电机时的瞬态
一、仿真软件说明
（4）电流方程:在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即:
各种场效应管特性比较
P沟MOS晶体管
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源和漏，两之间不通导，柵上加有的正电压(源接地)时，柵下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源和漏的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
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(6). 选中“微处理控制器(MICROCONTROLLERS)”，其“元件”栏中有70个品种可供调用。