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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战,TO-247封装MOSFET需配合散热器使用,热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³,适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术,结温降低20℃。寿命测试显示,结温每降低10℃,器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片,能在高温时吸收大量热量,特别适用于间歇性大电流冲击场景。
通过 Multisim 和虚拟仪器技术,PCB 设计工程师和电子学教育工作者可以完成从理论到原理图捕获与仿真再到原型设计和测试这样一个完整的综合设计流程。软件名称出品公司特点Multisim美国国家仪器(NI)有限公司偏向于模拟电路Proteus英国Lab Center Electronics公司偏向于数字电路Tina-TI德州仪器公司(TI)与DesignSoft公司联合支持导入品牌的SPICE模型LTspice美国Analog Devices公司增强功能和模型改善了模拟电路仿真Circuitjs美国个人轻量化、开源且免费,电路工作状态可动态显示
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nmos和pmos区别在实际项目中,我们基本增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造。在MOS管原理图上可以看到,漏和源之间有一个寄生二管。这个叫体二管,在驱动感性负载(如马达),这个二管很重要。顺便说一句,体二管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源接地时的情况(低端驱动),只要栅电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
2)右键后选择“Properties”弹出如下图的对话框:
提取码:6857
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