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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
如果加上正的vGS，栅与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅－源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS0，VP
熔断器 FTF
跌落式熔断器 FF
限压保护器件 FV
电工电子电路图符号英文缩写
电力电容器 CE
正转按钮 SBF
反转按钮 SBR
停止按钮 SBS
紧急按钮 SBE
试验按钮 SBT
复位按钮 SR限位开关 SQ
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SOCKET 插座
SOURCE CURRENT 电流源
SOURCE VOLTAGE 电压源
SPEER 扬声器
SW-DPDY 双刀双掷开关
SW-SPST 单刀单掷开关
SW-PB 按钮
THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器
TRANS2 可调变压器
络而使用外部人工网络。试验所选择的开关应在试验计划中规定,并在试验报告中记录。
连续电源的直流内阻Ri应小于0.01Ω,且频率低于400Hz的内阻抗Zi=Ri。当负载从小变化
到大(包括浪涌电流),输出电压的偏差应不大于1V,在100μs内应恢复到大幅度的63%。叠加
的纹波电压Ur的峰-峰值应不超过0.2V。如使用标准电源(具有的电流容量)来模拟电池,应