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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
对电阻Ra扫描其直流参数，并输出其功率参数。PR3恒流源两端电压恒定为2V，电流恒定为1A，功率为定值；PR2电阻上消耗的功率越来越小；PR1电压源释放功率越来越大，橙线左侧为负值说明消耗功率即充电。
仿真原文件请移步:。
修改T1，增加PR1电压探针:
仿真设置如下:
可以看出瞬态仿真与示波器的区别，示波器未使用捕获时，不能显示瞬态发生的情况。
Dallas Microprocessor.ddbIntel Databooks.ddb
Protel DOS Schematic Libraries.ddb
PCB元件常用库:
Advpcb.ddb
General IC.ddb
Miscellaneous.ddb
部分 分立元件库元件名称及中英对照
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PLD Toolbars 映象工具栏
7407 驱动门
1N914 二管
74Ls00 与非门74LS04 非门
74LS08 与门
74LS390 TTL 双十进制计数器
7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应
于4 根线的BCD码
7SEG 3-8 译码器电路
(18). 选中“P沟道MOS功率管 (POWER_MOS_P)”，其“元件”栏中有38种规格P沟道MOS功率管可供调用。(19). 选中“UJT管(UJT)”，其“元件”栏中2种规格UJT管可供调用。(20). 选中“带有热模型的NMOSFET管(THERMAL_MODELS)”，其“元件”栏中一种规格NMOSFET管可供调用。
点击“放置二管”按钮，弹出对话框的“系列”栏如图所示: