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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
可调电阻;res1.....定值无性电容；CAP
定值有性电容;CAP
半导体电容:CAPSEMI
可调电容:CAPVAR
3.电感:INDUCTOR
4.二管:DIODE.LIB
发光二管:LED
5.三管 :NPN1
6.结型场效应管:JFET.lib
DPY_7-SEG 7段LEDDPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点)ELECTRO 电解电容
FUSE 熔断器
INDUCTOR 电感
INDUCTOR IRON 带铁芯电感
INDUCTOR3 可调电感
JFET N N沟道场效应管
JFET P P沟道场效应管
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27、gency terminal switch终端开关emergency trip switch紧急脱钩开关enclosed knife switch铁壳开关 ; 封闭式闸刀开关; 金属盒开关enclosed switch封闭式低压开关; 封闭型开关enclosed switch board封闭式配电盘end cell switch末端电池转换开关engage switch啮合器engaged switch接通开关engine high temperature alarm switch发动机高温告警开关engine overspeed switch发动机超速开关engine start swi
vGS>0 的情况若vGS＞0，则栅和衬底之间的SiO2缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。
排斥空穴:使栅附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子:将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。
（2）导电沟道的形成
当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。