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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
(8). 选中“双向开关二管(DIAC)”，其“元件”栏中共有11种规格双向开关二管(相当于两只肖特基二管并联)可供调用。
(9). 选中“双向晶体闸流管(TRIAC)”，其“元件”栏中共有101种规格双向晶体闸流管可供调用。
(10). 选中“变容二管(VARACTOR)”，其“元件”栏中共有99种规格变容二管可供调用。(11). 选中“PIN结二管(PIN_DIODES)(即Positive-Intrinsic-Negetive结二管)”，其“元件”栏中共有19种规格PIN结二管可供调用。
36、ible switch熔丝开关fusible switch power panel熔丝开关动力箱fuzzy switching function模糊开关函数G switch惯性开关gain switch增益开关gain-selector switch增益选择开关gang switch同轴开关gang(ed) switch联动开关ganged switch双联开关gapping switch桥接开关gas gauge switch汽油表开关gas thermostatic switch气体恒温开关gas-diode switch充气二管开关gasoline gauge switch汽油油量表开
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N沟道增强型MOS管的结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电，分别作漏d和源s。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)缘层，在漏——源间的缘层上再装上一个铝电,作为栅g。
在衬底上也引出一个电B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
图12.可寻址热光移相器。（a）结构示意图，（b）电学测试结果，（c）功率分流网络，（d）矩阵网络。 【IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2020, 26(5): 6100708】热光移相器具有成本低、制作简单和良率高的优势，在硅基光电子芯片中起着的作用。本文综述了SOI平台上热光移相器的发展现状和潜在趋势，从移相器的移相效率、调制速度、面积和损耗等不同维度进行了分析与比较，并对CUMEC工艺平台热光移相器的特与优势进行了介绍，总结对比见下表。文章内容能够为未来小型化的热光移相器发展迭代提供基础和思路。