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电子开关在新能源汽车中的应用
电动汽车的电池管理系统(BMS)大量使用高压固态开关，实现电池组的智能分断控制。智能配电单元(PDU)采用预充电电路设计，避免接触器闭合时的浪涌电流。某车型的电池包配备16通道隔离检测开关，能精准定位故障电芯。车载充电机(OBC)使用GaN功率器件，开关频率达MHz级，体积缩小50%。最新研发的智能保险丝结合电子开关技术，可在微秒级实现故障切断，比传统熔断器快1000倍。
接下来断开示波器,按图2b)将DUT连接到试验脉冲发生器,施加试验脉冲。按实际状态,评估DUT在试验中和/或试验后的功能。
为产生规定的试验脉冲,需要接通和切断电源开关。如果试验脉冲发生器自带电源,可通过试验脉
冲发生器操作开关来实现。
5 试验设备及要求
5.1 人工网络
人工网络代替车辆线束的阻抗,在实验室中作为阻抗的参考标准,以测定设备及电气/电子装置的
. 选中“发光二管(LED)”，其“元件”栏中有8种颜的发光二管可供调用。
(5). 选中“全波桥式整流器(FWB)”，其“元件”栏中有58种规格全波桥式整流器可供调用。
(6). 选中“肖特基二管(SCHOTTKY_DIODES)”，其“元件”栏中有39种规格肖特基二管可供调用。(7). 选中“单向晶体闸流管(SCR)”，其“元件”栏中共有276种规格单向晶体闸流管可供调用。
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PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。固定电阻:RES
半导体电阻:RESSEMT
电位计；POT
变电阻；RVAR
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和性,与双型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。