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红外遥控器的编码与解码技术
传统红外遥控器采用38kHz载波传输NEC编码协议，通过脉冲宽度调制(PWM)表示0/1信号。现代学习型遥控器能存储多种设备的控制码，部分高端型号支持RF+IR双模传输。某品牌万能遥控器内置30万种设备码库，自动识别率达95%以上。新型红外接收头采用数字滤波技术，抗干扰能力提升60%，有效距离延长至15米。值得注意的是，LED照明产生的红外噪声可能影响遥控灵敏度，需选用带抗干扰算法的接收模块。
2）转移特性曲线
转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS＞vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的转移特性曲线。
3）iD与vGS的近似关系与结型场效应管相类似。在饱和区内,iD与vGS的近似关系式为
试验时应采取措施,确保测量布置不受周围电磁环境干扰。测量骚扰源产生的电压瞬态,要使用标准阻抗的人工网络(见5.1)。人工网络、开关和DUT之间
的连接配线均应放置在金属接地平板上方50mm±5mm处。电缆规格尺寸应按照车辆的实际使
用情况选择,配线应能承受DUT的工作电流,并在车辆制造商与供应商达成一致后确定。DUT的接
地方式应考虑车辆的实际安装,并在试验计划中定义。如果试验计划没有规定,DUT应放置在接地平
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只能通过置放“探针”判断电流流向，如下图所示。参考方向往右，电流为 -3.11mA，故实际电流方向与参考方向相反。5）元件外形设置
建议不要修改，使用起来会不太惯。
1）放置标题栏
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2）编辑标题栏
进入“Options”选项卡，然后点击“Global options”选项。
开始形成沟道时的栅——源电压称为开启电压，用VT表示。上面讨论的N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。这种在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源间加上正向电压vDS，就有漏电流产生。
vDS对iD的影响
如图(a)所示，当vGS>VT且为一确定值时，漏——源电压vDS对导电沟道及电流iD的影响与结型场效应管相似。