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电子开关的未来发展趋势
第三代半导体(SiC/GaN)将推动电子开关性能革命，开关损耗降低70%。智能自愈开关能自动检测并隔离故障线路，恢复供电时间缩短至毫秒级。柔性电子技术可能催生可弯曲折叠的薄膜开关，适用于穿戴设备。量子点开关实验室已实现皮秒级切换速度，为超高速计算开辟新路径。数字孪生技术将实现开关设备的全生命周期管理，预测性维护准确率提升至90%以上。
点击“放置杂项元件”按钮，弹出对话框的“系列”栏如图21所示。虚拟元件(MISC_VIRTUAL)
选中“其它虚拟元件(MISC_VIRTUAL)”，其“元件”栏内容如图所示:
(2). 选中“传感器(TRANSDUCERS)”，其“元件”栏中有70种传感器可供调用。
(3). 选中“光电三管型光耦合器(OPTOCOUPLER)”，其“元件”栏中有82种传感器可供调用。
2 慢脉冲试验布置试验布置见图1a)。
骚扰源经人工网络连接到并联电阻RS、开关S和供电电源。开关S代表DUT供电总开关(例如,
点火开关,继电器等),其可位于距离DUT几米远处。
在DUT由内部机械开关和/或电子开关控制感性负载情况下,DUT内部开关闭合(当开关S断开
时,DUT由感性负载供电)的试验布置。
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图9. 高密度波导热光移相器结构与测试结果图进展5. 波导复用热光移相器
利用光的并行性提高热光移相器移相效率是一种行之有效的方案，图10展示了Michal Lipson教授团队设计并制作的一种基于模式转换的波导复用热光移相器，利用模式转换器实现了TE0模到TE6模的逐级转换，并将加热器放置于中间波导上方，利用不同模式的光多次经过受热波导的特点，实现了对受热波导的复用，从而提高了热光移相器移相效率。由于这种结构只是对受热波导进行了复用，并没有影响热量的产生与耗散，所以调节速度并不会发生改变。实验显示移相器的移相效率可以提升至1.7 mW/π，但是模式转换器会带来额外的损耗，不适用于多层移相器级联形成的网络。
如果加上正的vGS，栅与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅－源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS0，VP