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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
24、电子自动开关electronic data-switching center电子数据交换中心electronic sampling switch电子取样开关 ; 电子转换器electronic switch电子开关electronic switch board电子交换台electronic switching电子交换设备 ; 电子开关作用electronic switching center电子交换中心electronic switching system电子交换装置electronic switching system (ESS)电子交换系统 ; 电子转换系统 ; 电子转接系统electro
Protel Dos Schematic Voltage Regulator.lib（电压调整集成块元件库）Protes Dos Schematic Zilog.Lib（齐格格公司生产的Z80系列CPU集成块元件库）元件属性对话框中英文对照
Lib ref 元件名称
Footprint 器件封装
Designator 元件称号
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图7. 高密度波导热光移相器结构、扫描电镜图、测试结构和测试结果图。 2020年，丹麦技术大学的研究人员采用高密度螺旋形波导实现了热光移相器移相效率、调节速度、面积与损耗的均衡。图8展示了移相器的结构和实验结果，移相效率大约是3.0 mW/π，面积是0.001876 mm2，损耗是0.9 dB，上升时间和下降时间大约是11 μs和7 μs。与高密度波导热光移相器相比，这种移相器具有更低的损耗和更快的调节速度，更加适宜于硅基光学相控阵等大规模网络。
考虑到DUT内部开关的类型[继电器、电子开关、缘栅双型晶体管(IGB T)等],可能无法确保DUT内部开关受控闭合。内部开关状态的详细描述应记录在试验报告中。
DUT电源断开产生的瞬态在开关S断开时测量(操作开关S以便产生瞬态骚扰)。
4.3.3 快脉冲试验布置
无内部开关的DUT试验布置见图1b)。
骚扰源经人工网络连接到并联电阻RS、开关S和供电电源。DUT电源断开产生的瞬态在开关S