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电子开关的未来发展趋势
第三代半导体(SiC/GaN)将推动电子开关性能革命，开关损耗降低70%。智能自愈开关能自动检测并隔离故障线路，恢复供电时间缩短至毫秒级。柔性电子技术可能催生可弯曲折叠的薄膜开关，适用于穿戴设备。量子点开关实验室已实现皮秒级切换速度，为超高速计算开辟新路径。数字孪生技术将实现开关设备的全生命周期管理，预测性维护准确率提升至90%以上。
11、码条式自动电话交换机colour switching颜变换 ; 彩图像开关combination switch复合开关combined line switchboard结合寻线机台 ; 混合接续制开关台combined switch组合开关command switch命令开关common battery switchboard共电式交换机common control switching arrangement (CCSA) 公共控制开关装置 ; 公用控制交换网 ; 公用控制转换设备communication switching通信转接communication switching unit
52 手动同期转换开关 1SASC STK
53 自同期转换开关 SSA2 ZTK
54 自动开关 QA
55 刀开关 QK或SN DK
56 熔断器 FU RD57 熔断器 FUhs RDS
58 闭锁开关 SAL BK
59 信号灯 HL XD
60 光字牌 HL或HP GP
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NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
图10. 波导复用热光移相器结构与原理图。 与非对称方向耦合器形成的模式转换器相比，交错光栅模式转换器具有更小的尺寸，联合微电子中心研究人员利用这一特点开发了基于交错光栅的波导复用热光移相器，如图11所示。研究人员采用交错光栅实现了输入TE0模反射形成TE1模，经过受热波导之后在非对称方向耦合器位置转换形成TE0模，并通过加热器后从移相器右端输出，与单根波导热光移相器相比，移相效率大约提升了2.8倍，上升时间和下降时间分别是7.1 μs和9.7 μs。与前文基于非对称方向耦合器的波导复用热光移相器相同，这种结构的移相器损耗比较高，不适用于多层移相器级联形成的网络。