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电子开关的工作原理与技术分类
电子开关是通过半导体器件实现电路通断控制的装置，主要分为机械式电子开关和固态电子开关两大类。机械式电子开关如继电器通过电磁线圈驱动机械触点，而固态电子开关则采用MOSFET、IGBT等功率半导体器件实现无触点开关。光电耦合器在高低压隔离控制中发挥重要作用，确保控制信号与主电路的安全隔离。现代电子开关的切换速度可达微秒级，远快于传统机械开关，特别适用于高频PWM调光、电机调速等场景。
它的栅与其它电间是缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。
N沟道增强型MOS管的工作原理
（1）vGS对iD及沟道的控制作用
① vGS=0 的情况
从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏d和源s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源间没有导电沟道，所以这时漏电流iD≈0。
板上方50mm±5mm的非导电材料上。采用电压探头和示波器或波形采集设备测量供电电压和骚扰电压,电压波形参数见附录B。
需注意测量时DUT是在断开以及各种不同工作模式的切换下进行。DUT试验条件要求应
在试验计划中规定。
注:某些情况下在DUT开启时测量。
应选择合适的采样率和触发电平,以获取完整的瞬态波形。选择的分辨率以显示瞬态大的
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PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。固定电阻:RES
半导体电阻:RESSEMT
电位计；POT
变电阻；RVAR
考虑到DUT内部开关的类型[继电器、电子开关、缘栅双型晶体管(IGB T)等],可能无法确保DUT内部开关受控闭合。内部开关状态的详细描述应记录在试验报告中。
DUT电源断开产生的瞬态在开关S断开时测量(操作开关S以便产生瞬态骚扰)。
4.3.3 快脉冲试验布置
无内部开关的DUT试验布置见图1b)。
骚扰源经人工网络连接到并联电阻RS、开关S和供电电源。DUT电源断开产生的瞬态在开关S