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电子开关的未来发展趋势
第三代半导体(SiC/GaN)将推动电子开关性能革命，开关损耗降低70%。智能自愈开关能自动检测并隔离故障线路，恢复供电时间缩短至毫秒级。柔性电子技术可能催生可弯曲折叠的薄膜开关，适用于穿戴设备。量子点开关实验室已实现皮秒级切换速度，为超高速计算开辟新路径。数字孪生技术将实现开关设备的全生命周期管理，预测性维护准确率提升至90%以上。
它的栅与其它电间是缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。
N沟道增强型MOS管的工作原理
（1）vGS对iD及沟道的控制作用
① vGS=0 的情况
从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏d和源s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源间没有导电沟道，所以这时漏电流iD≈0。
Device.lib 包括电阻、电容、二管、
三管和PCB的连接器符号
ACTIVE.LIB 包括虚拟仪器和有源器件
DIODE.LIB 包括二管和整流桥
DISPLAY.LIB 包括 LCD、LED
BIPOLAR.LIB 包括三管
FET.LIB 包括场效应管ASIMMDLS.LIB 包括模拟元器件
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RS-双平安气囊SAHR-主动性头枕GPS-车载卫星定位导航系统i-Drive-智能集成化操作系统Dynamic.Drive-主动式稳定杆发动机R-直列多缸排列发动机V-V型汽缸排列发动机B-水平对置式排列多缸发动机WA-汪克尔转子发动机W-W型汽缸排列发动机Fi-前置发动机纵向Fq-前置发动机横向Mi-中置发动机纵向Mq-中置发动机横向Hi-后置发动机纵向Hq-后置发动机横向气门OHV-顶置气门,侧置凸轮轴OHC-顶置气门,上置凸轮轴DOHC-顶置气门,双上置凸轮轴CVTC-连续可变气门正时机构VVT-i-气门正时机构VVTL-i-气门正时机构V-化油器ES-单点喷射汽油发动机EM-多点喷射
. 选中“虚拟二管元件(DIODES_VIRTUAL)”，其“元件”栏中2种规格虚拟二管元件可供调用，一种是普通虚拟二管，另一种是齐纳击穿虚拟二管。. 选中“普通二管(DIODES)”，其“元件”栏中包括了国外许多公司提供的807种各种规格二管可供调用。(3). 选中“齐纳击穿二管(即稳压管)(ZENER)”，其“元件”栏中包括了国外许多公司提供的1266种各种规格稳压管可供调用。