绵阳跨境外贸开关厂家
红外遥控器的编码与解码技术
传统红外遥控器采用38kHz载波传输NEC编码协议，通过脉冲宽度调制(PWM)表示0/1信号。现代学习型遥控器能存储多种设备的控制码，部分高端型号支持RF+IR双模传输。某品牌万能遥控器内置30万种设备码库，自动识别率达95%以上。新型红外接收头采用数字滤波技术，抗干扰能力提升60%，有效距离延长至15米。值得注意的是，LED照明产生的红外噪声可能影响遥控灵敏度，需选用带抗干扰算法的接收模块。
LAMP 灯泡
LAMP NEDN 起辉器
LED 发光二管METER 仪表
MICROPHONE 麦克风
MOSFET MOS管
MOTOR AC 交流电机
MOTOR SERVO 伺服电机
NAND 与非门
NOR 或非门
NPN NPN三管
GSG 入门指南
GUI ID 全唯一性标识符
HIW 主实际值HSW 主给定值
HTL 高阈值逻辑
I/O 输入/输出
IGBT 缘栅双型晶体管
KIB 动能缓冲
LCD 液晶显示器
LED 发光二管
MHB 电动机抱闸
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DPY_7-SEG 7段LEDDPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点)ELECTRO 电解电容
FUSE 熔断器
INDUCTOR 电感
INDUCTOR IRON 带铁芯电感
INDUCTOR3 可调电感
JFET N N沟道场效应管
JFET P P沟道场效应管
式中IDO是vGS=2VT时的漏电流iD。
MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP ，而用开启电压VT表征管子的特性。
N沟道耗尽型MOS管的基本结构
N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。
耗尽型MOS管在vGS=0时，漏——源间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。