重庆单控遥控控制生产厂
电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
METER 仪表
MICROPHONE 麦克风
MOSFETMOS管
MOTOR AC 交流电机
MOTOR SERVO 伺服电机
NAND 与非门
NOR 或非门
NPN NPN 三管
NPN-PHOTO 感光三管OPAMP 运放
PHOTO 感光二管
2）右键后选择“Properties”弹出如下图的对话框:
提取码:6857
1）本免费资源个人学或交流之用，严禁商业性质的使用。请您在使用完毕后，通过渠道在官网购买正版资源。
2）若您发现资料下载链接失效，请及时通过后台联系本人或查询官方网站。
3）本资料来源于网络，在此提醒，请勿将下载的资料或教程用于形式的商业活动。请您对自己的行为负责，遵守相关法律法规，尊重他人的知识产权。
重庆单控遥控控制生产厂
PLDs & FPGAs
Resistors 各种电阻
Simulator Primitives 常用的器件
Speers & Sounders
Switches & Relays开关，继电器，键盘
Switching Devices 晶阊管
Transistors 晶体管（三管，场效应管）
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管在栅上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。