海南藏族自治州远程远距离遥控无线控制器设计方案
电子开关的工作原理与技术分类
电子开关是通过半导体器件实现电路通断控制的装置，主要分为机械式电子开关和固态电子开关两大类。机械式电子开关如继电器通过电磁线圈驱动机械触点，而固态电子开关则采用MOSFET、IGBT等功率半导体器件实现无触点开关。光电耦合器在高低压隔离控制中发挥重要作用，确保控制信号与主电路的安全隔离。现代电子开关的切换速度可达微秒级，远快于传统机械开关，特别适用于高频PWM调光、电机调速等场景。
进展1 :热光移相器的结构与实现原理硅材料具有较高的热光系数，室温下大约是1.8 × 10-4 K-1。因此，只需要升高有限的温度，就能实现明显的波导折射率变化。同时，硅材料的热导率大约是149 W/mK，这一特性了硅基热光移相器可以有较快的响应速度，开关时间一般在几十微秒以内。图1展示了缘衬底上硅（Silicon-on-insulator, SOI）的多种硅基热光移相器的横截面结构，其中加热器主要是通过高电阻率的金属或掺杂波导实现，并从波导上方或两侧对波导进行加热。对于单波导热光移相器，这两种加热方式的移相效率接近，大约在20-30mW/π之间。为了提高热光移相器移相效率，一般会以减少热耗散与提高热量利用率为目标优化热光移相器结构。减少热耗散主要通过刻蚀隔热槽和掏空衬底工艺实现，如图1（f）所示。为了提高热量利用率可以利用加热器热场远大于波导模场的特点，通过设计并制作高密度波导或波导复用的方式来增加热场与模场的重叠积分，实现对热量的利用，如图1（g）-（h）所示。
vGS>0 的情况若vGS＞0，则栅和衬底之间的SiO2缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。
排斥空穴:使栅附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子:将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。
（2）导电沟道的形成
当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
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它的栅与其它电间是缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。
N沟道增强型MOS管的工作原理
（1）vGS对iD及沟道的控制作用
① vGS=0 的情况
从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏d和源s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源间没有导电沟道，所以这时漏电流iD≈0。
ADC 模拟-数字转换器 ADR 地址
AFM 附加频率修正
AG 自动化装置
AIN 模拟量输入
AOP 高级操作面板
AOUT 模拟量输出
ASIC 集成电路
ASP 模拟量给定值
ASVM 非对称空间矢量调制
BCC 块校验字符