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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
步:设置器件属性这里以 S8550 三管导入过程演示件和数字器件:
模拟信号和数字信号，模拟信号是大小间变化的信号，它的值是连续的。而数字信号只有1和0。
第二步:设置器件类型以及参数
这里主要是将将要导入到的器件与现有的数据库器件进行匹配并归类。如果之前没有导入过器件，在选择下图②处的时候就选择主数据库。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅电压大于源电压。而高端驱动的MOS管导通时源电压与漏电压（VCC）相同，所以这时栅电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到的短路电流去驱动MOS管。NMOS管与PMOS管工作原理
N沟MOS晶体管
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本文从硅基热光移相器的基本原理出发，介绍了多种不同结构的热光移相器，阐述了这些移相器的波导结构、移相效率、开关时间、面积与工艺平台等参数。之后结合近几年的代表性文章，归纳总结了单波导热光移相器、悬臂梁波导热光移相器、高密度波导热光移相器、波导复用热光移相器和可寻址热光移相器等方面的工作，综合对比了不同类型热光移相器的性能及发展趋势，为未来热光移相器在高集成度硅基光子芯片中的应用提供了基础和思路。
98 同期电压小母线(运行) WOS`或WVBn TQM`a,TQM`b
99 准同期合闸小母线 1WSC,2WSC,3WSC
1WPO,2WPO,3WPO 1THM,2THM,3THM100 控制电源小母线 +WC,-WC +KM,-KM
101 信号电源小母线 +WS,-WS +XM,-XM
102 合闸电源小母线 +WON,-WON +HM,-HM