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电子开关的未来发展趋势
第三代半导体(SiC/GaN)将推动电子开关性能革命，开关损耗降低70%。智能自愈开关能自动检测并隔离故障线路，恢复供电时间缩短至毫秒级。柔性电子技术可能催生可弯曲折叠的薄膜开关，适用于穿戴设备。量子点开关实验室已实现皮秒级切换速度，为超高速计算开辟新路径。数字孪生技术将实现开关设备的全生命周期管理，预测性维护准确率提升至90%以上。
开始形成沟道时的栅——源电压称为开启电压，用VT表示。上面讨论的N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。这种在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源间加上正向电压vDS，就有漏电流产生。
vDS对iD的影响
如图(a)所示，当vGS>VT且为一确定值时，漏——源电压vDS对导电沟道及电流iD的影响与结型场效应管相似。
NPN-PHOTO 感光三管
OPAMP 运放
PHOTO 感光二管NPN DAR NPN三管
PNP DAR PNP三管
POT 滑线变阻器
PELAY-DPDT 双刀双掷继电器
RES1.2 电阻
RES3.4 可变电阻
RESISTOR BRIDGE 桥式电阻
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图9. 高密度波导热光移相器结构与测试结果图进展5. 波导复用热光移相器
利用光的并行性提高热光移相器移相效率是一种行之有效的方案，图10展示了Michal Lipson教授团队设计并制作的一种基于模式转换的波导复用热光移相器，利用模式转换器实现了TE0模到TE6模的逐级转换，并将加热器放置于中间波导上方，利用不同模式的光多次经过受热波导的特点，实现了对受热波导的复用，从而提高了热光移相器移相效率。由于这种结构只是对受热波导进行了复用，并没有影响热量的产生与耗散，所以调节速度并不会发生改变。实验显示移相器的移相效率可以提升至1.7 mW/π，但是模式转换器会带来额外的损耗，不适用于多层移相器级联形成的网络。
辅助文 名 称
CCW 逆时针
D 延时(延迟)
FW 正，向前
ON 接通(闭合)PE 保护接地
PEN 保护接地与中性线共用
PU 不接地保护
SET 置位、定位
TE 无噪音(防干扰)接地
序号 元件名称 新符号 旧符号