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射频遥控器的抗干扰设计与加密技术
2.4GHz射频遥控器面临同频干扰问题，跳频扩频(FHSS)技术可将干扰影响降低80%。AES-128加密算法确保控制信号安全，防止恶意重放攻击。某工业遥控器采用双天线分集接收，信号丢包率控制在0.1%以下。新型LoRa遥控器传输距离达3公里，特别适合塔吊、农业机械等远控场景。值得注意的是，医疗设备专用遥控器必须通过EMC Class B认证，确保不会干扰其他电子设备正常运行。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅电压大于源电压。而高端驱动的MOS管导通时源电压与漏电压（VCC）相同，所以这时栅电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到的短路电流去驱动MOS管。NMOS管与PMOS管工作原理
N沟MOS晶体管
本文从硅基热光移相器的基本原理出发，介绍了多种不同结构的热光移相器，阐述了这些移相器的波导结构、移相效率、开关时间、面积与工艺平台等参数。之后结合近几年的代表性文章，归纳总结了单波导热光移相器、悬臂梁波导热光移相器、高密度波导热光移相器、波导复用热光移相器和可寻址热光移相器等方面的工作，综合对比了不同类型热光移相器的性能及发展趋势，为未来热光移相器在高集成度硅基光子芯片中的应用提供了基础和思路。
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P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和性,与双型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
1 一般规定本文件所涉及的电源线瞬态发射和抗扰性试验均在试验室中以“台架试验”进行。一些试验方法中
要求使用人工网络,以便不同试验室结果之间具有可比性。
沿电源线的电瞬态抗扰性台架试验,采用试验脉冲发生器的方法(见5.6),其中所描述的试验脉冲
只是典型的脉冲形式,未能涵盖车辆上可能出现的各种瞬态。标准使用者可根据电气/电子部件的功能