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射频遥控器的抗干扰设计与加密技术
2.4GHz射频遥控器面临同频干扰问题，跳频扩频(FHSS)技术可将干扰影响降低80%。AES-128加密算法确保控制信号安全，防止恶意重放攻击。某工业遥控器采用双天线分集接收，信号丢包率控制在0.1%以下。新型LoRa遥控器传输距离达3公里，特别适合塔吊、农业机械等远控场景。值得注意的是，医疗设备专用遥控器必须通过EMC Class B认证，确保不会干扰其他电子设备正常运行。
Device.lib 包括电阻、电容、二管、
三管和PCB的连接器符号
ACTIVE.LIB 包括虚拟仪器和有源器件
DIODE.LIB 包括二管和整流桥
DISPLAY.LIB 包括 LCD、LED
BIPOLAR.LIB 包括三管
FET.LIB 包括场效应管ASIMMDLS.LIB 包括模拟元器件
图11. 交错光栅模式转换器形成的波导复用热光移相器结构和实验测试结果进展5. 可寻址热光移相器
受益于硅基光电子成熟的制造工艺，热光移相器被广泛应用于各种网络中，但每个热光移相器都需要两个电学端口，当网络规模扩大时，电学端口数目呈幂增长，这大地限制了网络规模的扩展。为了解决这个问题，根特大学的Wim Bogaerts团队提出了一种可寻址热光移相器结构，如图12所示。热光移相器的加热器由二管构成，通过脉冲宽度调节的方式实现对移相器相位的任意调节。对于由M×N个可寻址热光移相器构成的M行N列网络，仅需（M+N）个电学端口，就能在时分复用的方式下实现对网络中移相器的任意调节，减少了电学端口数目，对于大规模集成光子的发展具有重要的意义。
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什么是pmosPMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和性，与双型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路（见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路）出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管在栅上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。