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触摸式电子开关的人机交互设计
电容式触摸开关通过检测人体微电流实现控制，灵敏度可调范围5-50pF。防误触设计包括延时触发、二次确认等机制，某品牌面板开关采用压力感应技术，需施加500g力度才响应操作。LED呼吸灯效果可直观显示开关状态，部分产品集成接近感应功能，人手靠近时自动亮起背光。最新研发的透明导电膜技术，允许在玻璃表面实现全透明触摸开关，广泛应用于智能卫浴和高端家电。
7.MOS场效应管8.MES场效应管
9.继电器:PELAY. LIB
10.灯泡:LAMP
11.运放:OPAMP
12.数码管:DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB)
13.开关:sw_pb
原理图常用库文件:
Miscellaneous Devices.ddb
(18). 选中“P沟道MOS功率管 (POWER_MOS_P)”，其“元件”栏中有38种规格P沟道MOS功率管可供调用。(19). 选中“UJT管(UJT)”，其“元件”栏中2种规格UJT管可供调用。(20). 选中“带有热模型的NMOSFET管(THERMAL_MODELS)”，其“元件”栏中一种规格NMOSFET管可供调用。
点击“放置二管”按钮，弹出对话框的“系列”栏如图所示:
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P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和性,与双型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
RAM 随机访问存储器
RCCB 剩余电流断路器
RCD 剩余电流保护装置
RFG 斜坡函数发生器
RFI 无线电频率干扰RPM 转/分，每分钟转数
SDP 状态显示屏
SLVC 无传感器矢量控制
STW 控制字
STX 正文开始
SVM 空间矢量调制