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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
开始形成沟道时的栅——源电压称为开启电压，用VT表示。上面讨论的N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。这种在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源间加上正向电压vDS，就有漏电流产生。
vDS对iD的影响
如图(a)所示，当vGS>VT且为一确定值时，漏——源电压vDS对导电沟道及电流iD的影响与结型场效应管相似。
61 警铃 HAB或HA JL
62 合闸接触器 KMC HC
63 接触器 KM C
64 合闸线圈 Yon或LC HQ
65 跳闸线圈 Yoff或LT TQ66 插座 XS
67 插头 XP
68 端子排 XT
69 测试端子 XE
70 连接片 XB LP
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RESPACK 电阻
SCR 晶闸管
PLUG ? 插头PLUG AC FEMALE 三相交流插头
SOCKET 插座
SOURCE CURRENT 电流源
SOURCE VOLTAGE 电压源
SPEER 扬声器
SW-DPDY 双刀双掷开关
SW-SPST 单刀单掷开关
41、高压开关high voltage switch cabinet高压开关柜high voltage switchboard高压开关板high-current switch大电流开关high-frequency change over switch高频转换开关high-low-range switch高低量程转换开关high-speed diverter switch高速分流器开关high-speed switch开关high-tension oil switch高压油开关high-tension switch高压开关high-tension switch cabinet高压开关柜high-t