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电子开关的未来发展趋势
第三代半导体(SiC/GaN)将推动电子开关性能革命，开关损耗降低70%。智能自愈开关能自动检测并隔离故障线路，恢复供电时间缩短至毫秒级。柔性电子技术可能催生可弯曲折叠的薄膜开关，适用于穿戴设备。量子点开关实验室已实现皮秒级切换速度，为超高速计算开辟新路径。数字孪生技术将实现开关设备的全生命周期管理，预测性维护准确率提升至90%以上。
2 慢脉冲试验布置试验布置见图1a)。
骚扰源经人工网络连接到并联电阻RS、开关S和供电电源。开关S代表DUT供电总开关(例如,
点火开关,继电器等),其可位于距离DUT几米远处。
在DUT由内部机械开关和/或电子开关控制感性负载情况下,DUT内部开关闭合(当开关S断开
时,DUT由感性负载供电)的试验布置。
(21). 选中“连接器(CONNECTORS)”，其“元件”栏中共有130种各种规格连接器可供调用。(22). 选中“双列直插式插座(SOCKETS)”，其“元件”栏中共有12种各种规格插座可供调用。点击“放置三管”按钮，弹出对话框的“系列”栏如图所示:
(1). 选中“虚拟晶体管(TRANSISTORS_VIRTUAL)”，其“元件”栏中共有16种规格虚拟晶体管可供调用，其中包括NPN型、PNP型晶体管；JFET和MOSFET等。
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MOS管驱动跟双性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
98 同期电压小母线(运行) WOS`或WVBn TQM`a,TQM`b
99 准同期合闸小母线 1WSC,2WSC,3WSC
1WPO,2WPO,3WPO 1THM,2THM,3THM100 控制电源小母线 +WC,-WC +KM,-KM
101 信号电源小母线 +WS,-WS +XM,-XM
102 合闸电源小母线 +WON,-WON +HM,-HM