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电子开关在新能源汽车中的应用
电动汽车的电池管理系统(BMS)大量使用高压固态开关，实现电池组的智能分断控制。智能配电单元(PDU)采用预充电电路设计，避免接触器闭合时的浪涌电流。某车型的电池包配备16通道隔离检测开关，能精准定位故障电芯。车载充电机(OBC)使用GaN功率器件，开关频率达MHz级，体积缩小50%。最新研发的智能保险丝结合电子开关技术，可在微秒级实现故障切断，比传统熔断器快1000倍。
. 选中“CMOS_5V系列”，其“元件”栏中有265种数字集成电路可供调用。. 选中“74HC_2V系列”，其“元件”栏中有176种数字集成电路可供调用。(3). 选中“CMOS_10V系列”，其“元件”栏中有265种数字集成电路可供调用。
(4). 选中“74HC_4V系列”，其“元件”栏中有126种数字集成电路可供调用。
(5). 选中“CMOS_15V系列”，其“元件”栏中有172种数字集成电路可供调用。
PLD Toolbars 映象工具栏
7407 驱动门
1N914 二管
74Ls00 与非门74LS04 非门
74LS08 与门
74LS390 TTL 双十进制计数器
7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应
于4 根线的BCD码
7SEG 3-8 译码器电路
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N沟道增强型MOS管的结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电，分别作漏d和源s。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)缘层，在漏——源间的缘层上再装上一个铝电,作为栅g。
在衬底上也引出一个电B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
（4）电流方程:在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即:
各种场效应管特性比较
P沟MOS晶体管
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源和漏，两之间不通导，柵上加有的正电压(源接地)时，柵下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源和漏的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。