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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
(6). 选中“集成达林顿管阵列(DARLINGTON_ARRAY)”，其“元件”栏中有8种规格集成达林顿管可供调用。(7). 选中“带阻NPN型晶体管(BJT_NRES)”，其“元件”栏中有71种规格带阻NPN型晶体管可供调用。(8). 选中“带阻PNP型晶体管(BJT_PRES)”，其“元件”栏中有29种规格带阻PNP型晶体管可供调用。
(9). 选中“晶体管阵列(BJT_ARRAY)”，其“元件”栏中有10种规格晶体管阵列可供调用。
电工在工作中总会遇到各种英文缩写，举个简单的例子:PLC、NC、NO、这三个英文缩写 分别是一个控制器的名字和两个功能的名称，如果不认识会给自己的工作带来很多不便，小编查了好多资料，整理收集了这些内容，建议大家收藏，能用到固然好，就算一时用不到，开阔认知也不错。电工电子电路图符号英文缩写
有功电度表 PJ
无功电度表 PJR
相位表 PPA
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nmos和pmos区别在实际项目中，我们基本增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏和源之间有一个寄生二管。这个叫体二管，在驱动感性负载（如马达），这个二管很重要。顺便说一句，体二管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源接地时的情况（低端驱动），只要栅电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
(21). 选中“连接器(CONNECTORS)”，其“元件”栏中共有130种各种规格连接器可供调用。(22). 选中“双列直插式插座(SOCKETS)”，其“元件”栏中共有12种各种规格插座可供调用。点击“放置三管”按钮，弹出对话框的“系列”栏如图所示:
(1). 选中“虚拟晶体管(TRANSISTORS_VIRTUAL)”，其“元件”栏中共有16种规格虚拟晶体管可供调用，其中包括NPN型、PNP型晶体管；JFET和MOSFET等。