邓州家用遥控控制生产厂
电子开关的工作原理与技术分类
电子开关是通过半导体器件实现电路通断控制的装置，主要分为机械式电子开关和固态电子开关两大类。机械式电子开关如继电器通过电磁线圈驱动机械触点，而固态电子开关则采用MOSFET、IGBT等功率半导体器件实现无触点开关。光电耦合器在高低压隔离控制中发挥重要作用，确保控制信号与主电路的安全隔离。现代电子开关的切换速度可达微秒级，远快于传统机械开关，特别适用于高频PWM调光、电机调速等场景。
试验按钮 SBT
复位按钮 SR
限位开关 SQ
接近开关 SQP
手动控制开关 SH
时间控制开关 SK液位控制开关 SL
湿度控制开关 SM
压力控制开关 SP
速度控制开关 SS
温度控制开关,辅助开关 ST
电压表切换开关 SV
43、itch吊车制动器过松开关hold reset switch复位保持开关hold switch transistor保持开关晶体管home office switch防开关homing type line switch归位式导线机hook switch钩键 ; 挂钩开关 ; 叉簧horizontal bre switch水平断路开关horizontal draw-out metalclad switchgear水平抽出的铠装开关装置horn switch喇叭开关horn switch button喇叭按钮开关horn-bre switch角形开关 ; 灭弧角开关 ; 锥形开关hor
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式中IDO是vGS=2VT时的漏电流iD。
MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP ，而用开启电压VT表征管子的特性。
N沟道耗尽型MOS管的基本结构
N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。
耗尽型MOS管在vGS=0时，漏——源间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。
1 继电器 K J
2 电流继电器 KA LJ
3 负序电流继电器 KAN FLJ
4 零序电流继电器 KAZ LLJ
5 电压继电器 KV YJ6 正序电压继电器 KVP ZYJ
7 负序电压继电器 KVN FYJ
8 零序电压继电器 KVZ LYJ
9 时间继电器 KT SJ