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电子开关的未来发展趋势
第三代半导体(SiC/GaN)将推动电子开关性能革命，开关损耗降低70%。智能自愈开关能自动检测并隔离故障线路，恢复供电时间缩短至毫秒级。柔性电子技术可能催生可弯曲折叠的薄膜开关，适用于穿戴设备。量子点开关实验室已实现皮秒级切换速度，为超高速计算开辟新路径。数字孪生技术将实现开关设备的全生命周期管理，预测性维护准确率提升至90%以上。
16、ng switch数据采样开关data switch数据转接data switching数据交换data-switching center数据交换中心 ; 数据转换中心dead front switchboard面板无接线的配电盘dead front type switchboard固定面板式配电盘dead-end switch终端开关 ; 空端开关debug switch调试开关decade switch十进位开关deck switch同轴开关defeat switch消除开关delay-action switch延迟动作开关derailing switch开关器access switch进
(10). 选中“贴片电容(CAPACITOR_SMT)”，其“元件”栏中有从“0.5pF到33nF”系列电容可供调用。(11). 选中“贴片电解电容(CAP_ ELECTROLIT_SMT)”，其“元件”栏中有17种贴片电解电容可供调用。(12). 选中“可变电容器(VARIABLE_CAPACITOR)”，其“元件”栏中30pF、100pF和350pF三种可变电容器可供调用。
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图4. 混合型热光移相器。（a）由金属与掺杂波导并联形成的加热器结构示意图。（b）输出光功率随加热器功耗的变化曲线。（c）光学相位随驱动功率的变化曲线。（d）与金属加热器的热光移相器响应曲线对比进展3. 悬臂梁波导热光移相器
前文所述的热光移相器都是通过结构优化来提高移相器的性能，不能解决热量从硅衬底耗散的问题。解决该问题有效的办法是刻蚀硅波导附近区域的二氧化硅与硅衬底，利用空气热导率低的特性将热量集中于波导附近，减少热量耗散，提高移相器移相效率。其中，比较典型的工作有，2011年新加坡IME的研究人员设计并实现了悬臂梁波导结构，如图5所示，采用干法刻蚀将硅波导附近的二氧化硅和下方120 μm厚的硅衬底去除，保留部分二氧化硅，形成波导几何支撑结构，克服了硅波导可能面临的断裂与塌陷问题。这种结构可以将热光移相器移相效率提升至0.49 mW/π，但是由于空气热导率低，移相器的上升时间和下降时间大约是144 μs和122 μs。因此，这种结构的移相器一般用于光模块等只需要进行工作点单次调节而不用反复调节的器件。
(6). 选中“集成达林顿管阵列(DARLINGTON_ARRAY)”，其“元件”栏中有8种规格集成达林顿管可供调用。(7). 选中“带阻NPN型晶体管(BJT_NRES)”，其“元件”栏中有71种规格带阻NPN型晶体管可供调用。(8). 选中“带阻PNP型晶体管(BJT_PRES)”，其“元件”栏中有29种规格带阻PNP型晶体管可供调用。
(9). 选中“晶体管阵列(BJT_ARRAY)”，其“元件”栏中有10种规格晶体管阵列可供调用。