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电子开关在物联网系统中的集成应用
物联网节点设备采用低功耗电子开关设计，待机电流可低至1μA。能量收集技术配合电子开关，实现自供电无线传感器网络。某智慧农业系统通过LoRa遥控器控制电磁阀开关，电池寿命达3年以上。边缘计算节点集成智能开关功能，能本地处理简单控制逻辑，减少云端依赖。最新研发的Matter协议标准，使不同品牌的智能开关实现无缝互联，配对时间缩短至30秒内。
器件放置菜单栏点击“放置信号源”按钮，弹出对话框中的“系列”栏如图2所示。选中“电源(POWER_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图3所示:
2. 选中“信号电压源(SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图4所示:
3. 选中“信号电流源(SIGNAL_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图5所示:
29、service (EPSS)实验包交换业务; 包交换实验网络exploding film Q-switching爆炸膜 Q 开关explosion-proof switch防爆式开关fast switch over转接fast-switching arrangement开关装置feed-through switch穿线开关feeder switch馈路开关feeler switch测试键feet switch地脚开关ferreed switch铁簧开关field bre-up switch励磁分段开关field breing switch削磁开关field switch场开关
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考虑到DUT内部开关的类型[继电器、电子开关、缘栅双型晶体管(IGB T)等],可能无法确保DUT内部开关受控闭合。内部开关状态的详细描述应记录在试验报告中。
DUT电源断开产生的瞬态在开关S断开时测量(操作开关S以便产生瞬态骚扰)。
4.3.3 快脉冲试验布置
无内部开关的DUT试验布置见图1b)。
骚扰源经人工网络连接到并联电阻RS、开关S和供电电源。DUT电源断开产生的瞬态在开关S
漏电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅间的电压相等，靠近源一端的电压大，这里沟道厚，而漏一端电压小，其值为VGD=vGS－vDS，因而这里沟道薄。但当vDS较小（vDSN沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数（1）特性曲线和电流方程
1）输出特性曲线
N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。