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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
LOGICPROBE[BIG] 逻辑探针用来显示连接位置的逻辑状态
LOGICSTATE 逻辑状态用鼠标点击,可改变该方框连接位置的逻辑状态
LOGICTOGGLE 逻辑触发
MASTERSWITCH 按钮手动闭合,立即自动打开
MOTOR 马达
POT-LIN 三引线可变电阻器POWER 电源
式中IDO是vGS=2VT时的漏电流iD。
MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP ，而用开启电压VT表征管子的特性。
N沟道耗尽型MOS管的基本结构
N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。
耗尽型MOS管在vGS=0时，漏——源间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。
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板上方50mm±5mm的非导电材料上。采用电压探头和示波器或波形采集设备测量供电电压和骚扰电压,电压波形参数见附录B。
需注意测量时DUT是在断开以及各种不同工作模式的切换下进行。DUT试验条件要求应
在试验计划中规定。
注:某些情况下在DUT开启时测量。
应选择合适的采样率和触发电平,以获取完整的瞬态波形。选择的分辨率以显示瞬态大的
. 选中“双型NPN型晶体管(BJT_NPN)”，其“元件”栏中共有658种规格晶体管可供调用。. 选中“双型PNP型晶体管(BJT_PNP)”，其“元件”栏中共有409种规格晶体管可供调用。(4). 选中“达林顿NPN型晶体管(DARLINGTON_NPN)”，其“元件”栏中有46种规格达林顿管可供调用。
(5). 选中“达林顿PNP型晶体管(DARLINGTON_PNP)”，其“元件”栏中有13种规格达林顿管可供调用。