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工业级电子开关的可靠性与保护设计
工业环境对电子开关提出严苛要求，需具备过流、过压、短路等多重保护功能。采用银合金触点的交流接触器可承受10万次以上通断操作，固态继电器(SSR)则实现零火花安全切换。某型号PLC输出模块集成自诊断功能，能实时监测开关管结温并预测寿命。防爆型开关符合ATEX标准，可在易燃易爆环境中安全使用。工业级产品通常设计有IP67防护等级，确保在粉尘、潮湿等恶劣条件下可靠工作。
MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
nmos和pmos区别在实际项目中，我们基本增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏和源之间有一个寄生二管。这个叫体二管，在驱动感性负载（如马达），这个二管很重要。顺便说一句，体二管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源接地时的情况（低端驱动），只要栅电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
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选用合适的采样率和触发电平,根据试验计划操作DUT,并记录电压幅度。其他瞬态参数,诸如上升时间、下降时间、持续宽度等也应记录。除非另有规定,至少采集10个波形,记录包含大正幅度和
负幅度及其相关参数的波形。
应按附录B评估测得的瞬态,应记录相关信息和试验结果。若试验计划有要求,应包括与试
验计划规定性能有关的瞬态评估结果。
VALVES .LIB 包括电子管
ANALOG.LIB 包括电源调节器、运放和数据采样IC
CAPACITORS.LIB 包括电容
COMS.LIB 包括 4000 系列
ECL.LIB 包括 ECL10000 系列
OPAMP.LIB 包括 运算放大器
RESISTORS.LIB 包括 电阻FAIRCHLD .LIB 包括 FAIRCHLD 半导体公司的分立器件