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电子开关的未来发展趋势
第三代半导体(SiC/GaN)将推动电子开关性能革命，开关损耗降低70%。智能自愈开关能自动检测并隔离故障线路，恢复供电时间缩短至毫秒级。柔性电子技术可能催生可弯曲折叠的薄膜开关，适用于穿戴设备。量子点开关实验室已实现皮秒级切换速度，为超高速计算开辟新路径。数字孪生技术将实现开关设备的全生命周期管理，预测性维护准确率提升至90%以上。
(11). 选中“线路驱动器件(LINE_DRIVER)”，其“元件”栏中有16个品种可供调用。(12). 选中“线路接收器件(LINE_RECEIVER)”，其“元件”栏中有20个品种可供调用。
(13). 选中“无线电收发器件(LINE_TRANSCEIVER)”，其“元件”栏中有150个品种可供调用。
放置混合杂项元件
(1). 选中“混合虚拟器件(MIXED_VIRTUAL)”，其“元件”栏如图所示:
vGS>0 的情况若vGS＞0，则栅和衬底之间的SiO2缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。
排斥空穴:使栅附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子:将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。
（2）导电沟道的形成
当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
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图9. 高密度波导热光移相器结构与测试结果图进展5. 波导复用热光移相器
利用光的并行性提高热光移相器移相效率是一种行之有效的方案，图10展示了Michal Lipson教授团队设计并制作的一种基于模式转换的波导复用热光移相器，利用模式转换器实现了TE0模到TE6模的逐级转换，并将加热器放置于中间波导上方，利用不同模式的光多次经过受热波导的特点，实现了对受热波导的复用，从而提高了热光移相器移相效率。由于这种结构只是对受热波导进行了复用，并没有影响热量的产生与耗散，所以调节速度并不会发生改变。实验显示移相器的移相效率可以提升至1.7 mW/π，但是模式转换器会带来额外的损耗，不适用于多层移相器级联形成的网络。
98 同期电压小母线(运行) WOS`或WVBn TQM`a,TQM`b
99 准同期合闸小母线 1WSC,2WSC,3WSC
1WPO,2WPO,3WPO 1THM,2THM,3THM100 控制电源小母线 +WC,-WC +KM,-KM
101 信号电源小母线 +WS,-WS +XM,-XM
102 合闸电源小母线 +WON,-WON +HM,-HM