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工业级电子开关的可靠性与保护设计
工业环境对电子开关提出严苛要求，需具备过流、过压、短路等多重保护功能。采用银合金触点的交流接触器可承受10万次以上通断操作，固态继电器(SSR)则实现零火花安全切换。某型号PLC输出模块集成自诊断功能，能实时监测开关管结温并预测寿命。防爆型开关符合ATEX标准，可在易燃易爆环境中安全使用。工业级产品通常设计有IP67防护等级，确保在粉尘、潮湿等恶劣条件下可靠工作。
图8. 高密度螺旋形波导热光移相器结构和测试结果图。 为了方便设计人员根据需求对高密度波导折叠次数进行选择，联合微电子中心研究人员在硅基光电子工艺平台对不同折叠次数的高密度热光移相器进行了测试，如图9所示。实验结果显示，当需要综合考虑移相效率、调节速度和波导损耗时，选择2根波导效果。忽略波导数目增多带来的传播损耗，当波导数目由3根变化成9根时，移相器的品质因子仅提升了三分之一。与悬臂梁波导热光移相器相比，这种高密度波导热光移相器兼顾了移相效率和调节速度，并且具有面积小、制造工艺简单等优势，设计人员可以根据自身需求对高密度波导结构进行合理优化。
BVC 同轴电缆接插件
BRIDEG 1 整流桥(二管)
BRIDEG 2 整流桥(集成块)
BUFFER 缓冲器
BUZZER 蜂鸣器
CAPACITOR 电容
CAPACITOR POL 有性电容CAPVAR 可调电容
CIRCUIT BREER 熔断丝
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vGS>0 的情况若vGS＞0，则栅和衬底之间的SiO2缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。
排斥空穴:使栅附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子:将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。
（2）导电沟道的形成
当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
DPY_7-SEG 7段LEDDPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点)ELECTRO 电解电容
FUSE 熔断器
INDUCTOR 电感
INDUCTOR IRON 带铁芯电感
INDUCTOR3 可调电感
JFET N N沟道场效应管
JFET P P沟道场效应管