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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
熔断器 FTF
跌落式熔断器 FF
限压保护器件 FV
电工电子电路图符号英文缩写
电力电容器 CE
正转按钮 SBF
反转按钮 SBR
停止按钮 SBS
紧急按钮 SBE
试验按钮 SBT
复位按钮 SR限位开关 SQ
流过 XCP1 的电流 12V/10K = 1.2mA，XCP1 电压电流比 1V/mA，故 R9上的电压为 1.20V。变压器可直接作为电压互感器使用:
挂接示波器可用于电流波形显示。
对准元件按住“Ctrl + R”键可以旋转元件。
1）放置轻触开关
下方的 SPST_NO_SB 为单刀开关。
2）放置可调电阻
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(13). 选中“电感(INDUCTOR)”，其“元件”栏中有从“1.0µH到9.1H”全系列电感可供调用。(14). 选中“贴片电感(INDUCTOR_SMT)”，其“元件”栏中有23种贴片电感可供调用。(15). 选中“可变电感器(VARIABLE_ INDUCTOR)”，其“元件”栏中三种可变电感器可供调用。
(16). 选中“开关(SWITCH)”，其“元件”栏中如图所示:
N沟道增强型MOS管的结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电，分别作漏d和源s。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)缘层，在漏——源间的缘层上再装上一个铝电,作为栅g。
在衬底上也引出一个电B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。