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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
3 负载位置负载宜直接放置在接地平板上。如果负载有金属外壳,其外壳应与接地平板搭接。
负载可放在邻近接地平板处,其壳体与接地平板搭接。
4.4.4 试验布置
DUT试验前,在不带DUT的条件下,调整试验脉冲发生器[见图2a)]以产生5.6描述的特定脉冲
性、幅度、宽度、阻抗。峰值电压Us应调整到试验所需的电平,其误差为0%~+10%。
39、ch手轮开关hard-switch modulator刚性开关调制器head switch读头开关headlight switch头灯开关headlight switch knob头灯开关钮heat switch热开关heater air flow pressure switch加温气流压力开关heater switch加热器开关hermetically sealed switchbox密封式开关箱high frequency rotating switch高频旋转开关high level switch高液位开关high power switching device大功率转换设备high sp
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由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管在栅上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。
20、空调离合器BACKUP倒车TRANSSYSTEM转换系统VEHLAMP车灯HEATEDREAR后窗加热IGNRUNONLY仅点火起动Starter马达RearDefog后窗除霜器RearHeater后加热器CondFanMotor空调风扇电机A.B.SPMPRelay防抱死刹车油泵继电器Ignsw点火开关Fog雾灯Defog除霜DRL门锁OilTempSw机油温度开关KeyBuzzer钥匙蜂鸣器FuelPump燃油泵Temp水温表TCS变速器挡位限制KeyBUZ钥匙蜂鸣器ATC温度自动限制Switch开关RadioGRD收音机搭铁M/T手动变速器SeatBeltBUZ平安带蜂鸣器EGR废气循环