武威农业用无线接收模块供应商
射频遥控器的抗干扰设计与加密技术
2.4GHz射频遥控器面临同频干扰问题，跳频扩频(FHSS)技术可将干扰影响降低80%。AES-128加密算法确保控制信号安全，防止恶意重放攻击。某工业遥控器采用双天线分集接收，信号丢包率控制在0.1%以下。新型LoRa遥控器传输距离达3公里，特别适合塔吊、农业机械等远控场景。值得注意的是，医疗设备专用遥控器必须通过EMC Class B认证，确保不会干扰其他电子设备正常运行。
BVC 同轴电缆接插件
BRIDEG 1 整流桥(二管)
BRIDEG 2 整流桥(集成块)
BUFFER 缓冲器
BUZZER 蜂鸣器
CAPACITOR 电容
CAPACITOR POL 有性电容CAPVAR 可调电容
CIRCUIT BREER 熔断丝
EMC 电磁兼容性
EMF 电动势
EMI 电磁干扰 ESB 等效电路
FW 正，向前
FAQ 经常问到的问题
FCC 磁通电流控制
FCL 电流限制
FF 固定频率
FFB 自由功能块
FOC 磁场定向控制
FSA 框架尺寸A
武威农业用无线接收模块供应商
选用合适的采样率和触发电平,根据试验计划操作DUT,并记录电压幅度。其他瞬态参数,诸如上升时间、下降时间、持续宽度等也应记录。除非另有规定,至少采集10个波形,记录包含大正幅度和
负幅度及其相关参数的波形。
应按附录B评估测得的瞬态,应记录相关信息和试验结果。若试验计划有要求,应包括与试
验计划规定性能有关的瞬态评估结果。
式中IDO是vGS=2VT时的漏电流iD。
MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP ，而用开启电压VT表征管子的特性。
N沟道耗尽型MOS管的基本结构
N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。
耗尽型MOS管在vGS=0时，漏——源间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。