漳州多控无线遥控开关厂
电子开关的未来发展趋势
第三代半导体(SiC/GaN)将推动电子开关性能革命，开关损耗降低70%。智能自愈开关能自动检测并隔离故障线路，恢复供电时间缩短至毫秒级。柔性电子技术可能催生可弯曲折叠的薄膜开关，适用于穿戴设备。量子点开关实验室已实现皮秒级切换速度，为超高速计算开辟新路径。数字孪生技术将实现开关设备的全生命周期管理，预测性维护准确率提升至90%以上。
（4）电流方程:在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即:
各种场效应管特性比较
P沟MOS晶体管
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源和漏，两之间不通导，柵上加有的正电压(源接地)时，柵下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源和漏的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
第七步，确认引脚映射关系
第八步，将所导入的模型器件放置归类
注意:如果仅是仿真，选择红框内选项可以简化执行。将 .cir 模型管脚和仿真元件管脚映射的过程很重要，因为不是的 .cir 都有对应元件的实际管脚数量，如 ADA4870，实际 20 pin，但仿真时只用到 6pin。
移步:Multism14.2导入SPICE模型，8050、8550、9012～9015 仿真模型下载:。
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说明当前的直流电压为2V，交流电压信号S2以2V为中心，其输出信号 = R1*I1*R2/R3。原文件下载移步:，有关运放的知识移步:。
3）连线及其标号
4）显示节点与电流方向
（1）显示节点
通过下述的“直流工作点仿真”，显示各节点各支路的电压、电流。
（2）显示电流方向
Multisim 似乎没有类似 Proteus 的电流流向显示的功能，如下图所示。
(21). 选中“连接器(CONNECTORS)”，其“元件”栏中共有130种各种规格连接器可供调用。(22). 选中“双列直插式插座(SOCKETS)”，其“元件”栏中共有12种各种规格插座可供调用。点击“放置三管”按钮，弹出对话框的“系列”栏如图所示:
(1). 选中“虚拟晶体管(TRANSISTORS_VIRTUAL)”，其“元件”栏中共有16种规格虚拟晶体管可供调用，其中包括NPN型、PNP型晶体管；JFET和MOSFET等。