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电子开关的未来发展趋势
第三代半导体(SiC/GaN)将推动电子开关性能革命，开关损耗降低70%。智能自愈开关能自动检测并隔离故障线路，恢复供电时间缩短至毫秒级。柔性电子技术可能催生可弯曲折叠的薄膜开关，适用于穿戴设备。量子点开关实验室已实现皮秒级切换速度，为超高速计算开辟新路径。数字孪生技术将实现开关设备的全生命周期管理，预测性维护准确率提升至90%以上。
---具有瞬态抑制的线圈(对被测瞬态的影响小)。注:由于频繁使用而降级的开关继电器,则需要替换。
b) 使用具有复现性的开关,便于对骚扰进行评估。建议使用电子开关。骚扰的幅度很可能
大于常用的传统开关(起电弧),评估试验结果时应予考虑。电子开关适合用于控制含有抑制
有些电子开关可能包含符合5.1和图3、图4规定的人工网络。这种情况下,应可旁路内部人工网
它的栅与其它电间是缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。
N沟道增强型MOS管的工作原理
（1）vGS对iD及沟道的控制作用
① vGS=0 的情况
从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏d和源s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源间没有导电沟道，所以这时漏电流iD≈0。
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2）转移特性曲线
转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS＞vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的转移特性曲线。
3）iD与vGS的近似关系与结型场效应管相类似。在饱和区内,iD与vGS的近似关系式为
图4. 混合型热光移相器。（a）由金属与掺杂波导并联形成的加热器结构示意图。（b）输出光功率随加热器功耗的变化曲线。（c）光学相位随驱动功率的变化曲线。（d）与金属加热器的热光移相器响应曲线对比进展3. 悬臂梁波导热光移相器
前文所述的热光移相器都是通过结构优化来提高移相器的性能，不能解决热量从硅衬底耗散的问题。解决该问题有效的办法是刻蚀硅波导附近区域的二氧化硅与硅衬底，利用空气热导率低的特性将热量集中于波导附近，减少热量耗散，提高移相器移相效率。其中，比较典型的工作有，2011年新加坡IME的研究人员设计并实现了悬臂梁波导结构，如图5所示，采用干法刻蚀将硅波导附近的二氧化硅和下方120 μm厚的硅衬底去除，保留部分二氧化硅，形成波导几何支撑结构，克服了硅波导可能面临的断裂与塌陷问题。这种结构可以将热光移相器移相效率提升至0.49 mW/π，但是由于空气热导率低，移相器的上升时间和下降时间大约是144 μs和122 μs。因此，这种结构的移相器一般用于光模块等只需要进行工作点单次调节而不用反复调节的器件。