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电子开关的未来发展趋势
第三代半导体(SiC/GaN)将推动电子开关性能革命，开关损耗降低70%。智能自愈开关能自动检测并隔离故障线路，恢复供电时间缩短至毫秒级。柔性电子技术可能催生可弯曲折叠的薄膜开关，适用于穿戴设备。量子点开关实验室已实现皮秒级切换速度，为超高速计算开辟新路径。数字孪生技术将实现开关设备的全生命周期管理，预测性维护准确率提升至90%以上。
考虑到DUT内部开关的类型[继电器、电子开关、缘栅双型晶体管(IGB T)等],可能无法确保DUT内部开关受控闭合。内部开关状态的详细描述应记录在试验报告中。
DUT电源断开产生的瞬态在开关S断开时测量(操作开关S以便产生瞬态骚扰)。
4.3.3 快脉冲试验布置
无内部开关的DUT试验布置见图1b)。
骚扰源经人工网络连接到并联电阻RS、开关S和供电电源。DUT电源断开产生的瞬态在开关S
35、ly automatic switching全自动交换fully automatic switching network全自动交换网fully automatic switching system全自动交换系统function switch操作开关 ; 函数开关functional switch功能开关 ; 逻辑开关fuse disconnecting switch熔丝隔离开关fuse switch熔丝开关fuse-switch unit带保险丝的开关fused switch保险开关fusible disconnecting switch熔线式隔离开关; 带保险丝的断路器; 保险丝断路器fus
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3 负载位置负载宜直接放置在接地平板上。如果负载有金属外壳,其外壳应与接地平板搭接。
负载可放在邻近接地平板处,其壳体与接地平板搭接。
4.4.4 试验布置
DUT试验前,在不带DUT的条件下,调整试验脉冲发生器[见图2a)]以产生5.6描述的特定脉冲
性、幅度、宽度、阻抗。峰值电压Us应调整到试验所需的电平,其误差为0%~+10%。
ncy射束开关频率beam switching tube射束开关管 ; 射束转换管 ; 射线开关管beam switchyard束流分配装置beam-switching tube电子注开关管bearing-sense switch定向转换开关bilateral diode switch双向二管开关bilateral switching双通开关 ; 双向转换billet switch坯料分配器bin home switch分页格位开关binary-coded switch二进制码开关bit switch按位开关block switch分组开关block switching字组交换block-s