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工业级电子开关的可靠性与保护设计
工业环境对电子开关提出严苛要求，需具备过流、过压、短路等多重保护功能。采用银合金触点的交流接触器可承受10万次以上通断操作，固态继电器(SSR)则实现零火花安全切换。某型号PLC输出模块集成自诊断功能，能实时监测开关管结温并预测寿命。防爆型开关符合ATEX标准，可在易燃易爆环境中安全使用。工业级产品通常设计有IP67防护等级，确保在粉尘、潮湿等恶劣条件下可靠工作。
（4）电流方程:在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即:
各种场效应管特性比较
P沟MOS晶体管
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源和漏，两之间不通导，柵上加有的正电压(源接地)时，柵下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源和漏的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
试验时应采取措施,确保测量布置不受周围电磁环境干扰。测量骚扰源产生的电压瞬态,要使用标准阻抗的人工网络(见5.1)。人工网络、开关和DUT之间
的连接配线均应放置在金属接地平板上方50mm±5mm处。电缆规格尺寸应按照车辆的实际使
用情况选择,配线应能承受DUT的工作电流,并在车辆制造商与供应商达成一致后确定。DUT的接
地方式应考虑车辆的实际安装,并在试验计划中定义。如果试验计划没有规定,DUT应放置在接地平
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频敏变阻器 RF
限流电阻器 RC
光电池,热电传感器 B
压力变换器 BP
温度变换器 BT
速度变换器 BV
时间测量传感器 BT1,BK
液位测量传感器 BL
温度测量传感器 BH,BM
AD 模拟-数字转换器
电力干线 WPM照明干线 WLM应急照明干线 WEM
合闸小母线 WCL
控制小母线 WC
信号小母线 WS
闪光小母线 WF
事故音响小母线 WFS
预告音响小母线 WPS
电压小母线 WV
事故照明小母线 WELM