南宁智能遥控电子器供应
射频遥控器的抗干扰设计与加密技术
2.4GHz射频遥控器面临同频干扰问题，跳频扩频(FHSS)技术可将干扰影响降低80%。AES-128加密算法确保控制信号安全，防止恶意重放攻击。某工业遥控器采用双天线分集接收，信号丢包率控制在0.1%以下。新型LoRa遥控器传输距离达3公里，特别适合塔吊、农业机械等远控场景。值得注意的是，医疗设备专用遥控器必须通过EMC Class B认证，确保不会干扰其他电子设备正常运行。
82 电容器 C
83 灭磁电阻 RFS或Rfd Rmc
84 分流器 RW
85 热电阻 RT
86 电位器 RP
87 电感(电抗)线圈 L88 电流互感器 TA CT或LH
89 电压互感器 TV PT或YH
10KV电压互感器 TV SYH
35KV电压互感器 TV UYH
35 自动重合闸装置 ARE ZCJ
36 自动励磁调节装置 AVR或AAVR ZTL
37 备用电源自动投入装置 AATS或RSAD BZT
38 按扭 SB AN
39 合闸按扭 SBC HA40 跳闸按扭 SBT TA
41 复归按扭 SBre或SBR FA
42 试验按扭 SBte YA
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络而使用外部人工网络。试验所选择的开关应在试验计划中规定,并在试验报告中记录。
连续电源的直流内阻Ri应小于0.01Ω,且频率低于400Hz的内阻抗Zi=Ri。当负载从小变化
到大(包括浪涌电流),输出电压的偏差应不大于1V,在100μs内应恢复到大幅度的63%。叠加
的纹波电压Ur的峰-峰值应不超过0.2V。如使用标准电源(具有的电流容量)来模拟电池,应
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管在栅上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。