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电子开关的散热设计与可靠性提升
大电流电子开关面临严峻的散热挑战，TO-247封装MOSFET需配合散热器使用，热阻需控制在1.5℃/W以下。水冷散热方案可将功率密度提升至30W/cm³，适用于大功率变频器。某型号固态继电器采用铝基板直接键合(DBC)技术，结温降低20℃。寿命测试显示，结温每降低10℃，器件寿命延长1倍。最新研发的相变材料散热片，能在高温时吸收大量热量，特别适用于间歇性大电流冲击场景。
图5. 悬臂梁波导热光移相器的扫描电镜图与测试结果图。为了实现更的热光移相器，2015年英属哥伦比亚大学研究人员采用多种方案结合的方式实现了一种超热光移相器，研究人员通过计算相邻不同宽度波导间的串扰，设计了一种高密度波导结构，并在波导周围进行了隔热槽与衬底掏空工艺。图6展示了移相器的结构和实验结果，与MZI测试结构相比，迈克尔逊干涉仪（Michelson Interferometer，MI）测试结构实现了对热量的重复利用，移相效率会提高一倍。实验测试移相效率是50 μW/π，上升时间和下降时间大约是780 μs和500 μs。
Protes Dos Schematic Motorlla.Lib（摩托罗拉公司生产的元件库）Protes Dos Schematic NEC.lib（NEC公司生产的集成块元件库）Protes Dos Schematic Operationel Amplifers.lib（运算放大器元件库）
Protes Dos Schematic TTL.Lib（晶体管集成块元件库 74系列）
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3 负载位置负载宜直接放置在接地平板上。如果负载有金属外壳,其外壳应与接地平板搭接。
负载可放在邻近接地平板处,其壳体与接地平板搭接。
4.4.4 试验布置
DUT试验前,在不带DUT的条件下,调整试验脉冲发生器[见图2a)]以产生5.6描述的特定脉冲
性、幅度、宽度、阻抗。峰值电压Us应调整到试验所需的电平,其误差为0%~+10%。
或连接状况,确定是否规定和应用附加试验脉冲。附录A规定了瞬态抗扰性的功能特性状态分类。
4.2 试验温度和供电电压
试验期间,周围环境温度应为23℃±5℃。
供电电压UA在脉冲发生器的输出端进行测量,应符合表1的规定。如采用其他值,在试验报告中
4.3 电压瞬态发射试验
4.3.1 一般规定