咸宁智能5-30伏无线开关公司定制
电子开关在新能源汽车中的应用
电动汽车的电池管理系统(BMS)大量使用高压固态开关，实现电池组的智能分断控制。智能配电单元(PDU)采用预充电电路设计，避免接触器闭合时的浪涌电流。某车型的电池包配备16通道隔离检测开关，能精准定位故障电芯。车载充电机(OBC)使用GaN功率器件，开关频率达MHz级，体积缩小50%。最新研发的智能保险丝结合电子开关技术，可在微秒级实现故障切断，比传统熔断器快1000倍。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。固定电阻:RES
半导体电阻:RESSEMT
电位计；POT
变电阻；RVAR
Protel Dos Schematic 4000 Cmos .Lib （40.系列CMOS管集成块元件库）4013 D 触发器4027 JK 触发器
Protel Dos Schematic Analog Digital.Lib（模拟数字式集成块元件库）
AD系列 DAC系列 HD系列 MC系列
Protel Dos Schematic Comparator.Lib（比较放大器元件库）
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vGS>0 的情况若vGS＞0，则栅和衬底之间的SiO2缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。
排斥空穴:使栅附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子:将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。
（2）导电沟道的形成
当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
式中IDO是vGS=2VT时的漏电流iD。
MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP ，而用开启电压VT表征管子的特性。
N沟道耗尽型MOS管的基本结构
N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。
耗尽型MOS管在vGS=0时，漏——源间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。