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电子开关的未来发展趋势
第三代半导体(SiC/GaN)将推动电子开关性能革命，开关损耗降低70%。智能自愈开关能自动检测并隔离故障线路，恢复供电时间缩短至毫秒级。柔性电子技术可能催生可弯曲折叠的薄膜开关，适用于穿戴设备。量子点开关实验室已实现皮秒级切换速度，为超高速计算开辟新路径。数字孪生技术将实现开关设备的全生命周期管理，预测性维护准确率提升至90%以上。
82 电容器 C
83 灭磁电阻 RFS或Rfd Rmc
84 分流器 RW
85 热电阻 RT
86 电位器 RP
87 电感(电抗)线圈 L88 电流互感器 TA CT或LH
89 电压互感器 TV PT或YH
10KV电压互感器 TV SYH
35KV电压互感器 TV UYH
ncy射束开关频率beam switching tube射束开关管 ; 射束转换管 ; 射线开关管beam switchyard束流分配装置beam-switching tube电子注开关管bearing-sense switch定向转换开关bilateral diode switch双向二管开关bilateral switching双通开关 ; 双向转换billet switch坯料分配器bin home switch分页格位开关binary-coded switch二进制码开关bit switch按位开关block switch分组开关block switching字组交换block-s
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(17). 选中“变压器(TRANSFORMER)”，其“元件”栏中共有20种规格变压器可供调用。(18). 选中“非线性变压器(NON_LINEAR_TRANSFORMER)”，其“元件”栏中共有10种规格非线性变压器可供调用。(19). 选中“负载阻抗(Z_LOAD)”，其“元件”栏中共有10种规格负载阻抗可供调用。
(20). 选中“继电器(RELAY)”，其“元件”栏中共有96种各种规格直流继电器可供调用。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅电压大于源电压。而高端驱动的MOS管导通时源电压与漏电压（VCC）相同，所以这时栅电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到的短路电流去驱动MOS管。NMOS管与PMOS管工作原理
N沟MOS晶体管