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红外遥控器的编码与解码技术
传统红外遥控器采用38kHz载波传输NEC编码协议，通过脉冲宽度调制(PWM)表示0/1信号。现代学习型遥控器能存储多种设备的控制码，部分高端型号支持RF+IR双模传输。某品牌万能遥控器内置30万种设备码库，自动识别率达95%以上。新型红外接收头采用数字滤波技术，抗干扰能力提升60%，有效距离延长至15米。值得注意的是，LED照明产生的红外噪声可能影响遥控灵敏度，需选用带抗干扰算法的接收模块。
(14). 选中“P沟道增强型MOS管(MOS_3TEP)”，其“元件”栏中有157种规格MOSFET管可供调用。(15). 选中“N沟道耗尽型结型场效应管 (JFET_N)”，其“元件”栏中有263种规格JFET管可供调用。(16). 选中“P沟道耗尽型结型场效应管(JFET_P)”，其“元件”栏中有26种规格JFET管可供调用。
(17). 选中“N沟道MOS功率管(POWER_MOS_N)”，其“元件”栏中有116种规格N沟道MOS功率管可供调用。
如果加上正的vGS，栅与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅－源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS0，VP
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式中IDO是vGS=2VT时的漏电流iD。
MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP ，而用开启电压VT表征管子的特性。
N沟道耗尽型MOS管的基本结构
N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。
耗尽型MOS管在vGS=0时，漏——源间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。
本文从硅基热光移相器的基本原理出发，介绍了多种不同结构的热光移相器，阐述了这些移相器的波导结构、移相效率、开关时间、面积与工艺平台等参数。之后结合近几年的代表性文章，归纳总结了单波导热光移相器、悬臂梁波导热光移相器、高密度波导热光移相器、波导复用热光移相器和可寻址热光移相器等方面的工作，综合对比了不同类型热光移相器的性能及发展趋势，为未来热光移相器在高集成度硅基光子芯片中的应用提供了基础和思路。